Кремний сегодня является основным материалом, который применяется в солнечной энергетике или фотовольтаике. Однако, по своим возможностям преобразовывать энергию кремниевые элементы уже достигли предела. Поэтому ученые ищут как альтернативные материалы, способные заменить кремний, так и модифицируют кремний, например, за счет создания новых структур с его применением, для повышения требуемых характеристик.
Мы синтезировали микрокристаллические многослойные структуры из фосфида галлия (GaP) на кремниевой подложке, для создания упорядоченной структуры использовался метод атомно-слоевого осаждения. Характеристики полученных композитов дают нам выигрыш в несколько процентов КПД в способности преобразовывать энергию в сравнении с аналогичными материалами — это достаточно весомый результат по меркам фотовольтаики, — сказал один из авторов работы Александр Гудовских.
Российские физики в своей работе для создания нового материала предложили использовать кремний с дырочным типом проводимости. Получаемый на его основе композиты, как выяснили ученые, оказались более устойчивыми к таким агрессивным средам, как условия космоса. Элементы на подложку исследователи осаждали в особом порядке: к каждому атому кремния присоединялся атом галлия, а затем добавлялся фосфин, который встраивался в композит.
Данное исследование является одним из «кирпичиков» на пути нашего строительства нового более эффективного и прочного класса элементов для солнечной энергетики. Конечно, на основе созданных материалов мы уже получили только первые прототипы солнечных элементов. Однако главная задача — прийти к созданию конкретного прибора, который можно было бы внедрить в промышленное производство солнечных элементов, — добавил Гудовских.