Заполнитель

STP80NF55-06FP, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 55 В, 5 мОм

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

300,00 руб.

x 300,00 = 300,00
Артикул: 1135658 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней300,00руб.279,00руб.270,00руб.264,00руб.255,00руб.240,00руб.234,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней564,00руб.519,00руб.510,00руб.498,00руб.480,00руб.453,00руб.441,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней573,00руб.528,00руб.516,00руб.504,00руб.480,00руб.456,00руб.447,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней360,00руб.330,00руб.324,00руб.315,00руб.306,00руб.288,00руб.279,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней522,00руб.480,00руб.468,00руб.459,00руб.444,00руб.417,00руб.405,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней327,00руб.303,00руб.294,00руб.288,00руб.279,00руб.261,00руб.255,00руб.

Характеристики

STP80NF55-06FP, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 55 В, 5 мОм The STP80NF55-06FP is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Exceptional dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Application oriented characterization
• -55 to 175 C Operating junction temperature

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

45Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

55В
Непрерывный Ток Стока

60А