011

STD3NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 2.4 А, 600 В, 3.3 Ом

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

53,00 руб.

x 53,00 = 53,00
Артикул: 1133084 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней53,00руб.49,29руб.47,70руб.46,64руб.43,46руб.42,40руб.41,34руб.38,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней95,93руб.87,98руб.86,39руб.84,27руб.78,44руб.76,85руб.74,73руб.67,31руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней124,02руб.114,48руб.111,83руб.109,18руб.101,76руб.99,11руб.96,99руб.86,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней63,60руб.58,30руб.57,24руб.55,65руб.51,94руб.50,88руб.49,29руб.44,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней122,43руб.112,89руб.110,24руб.107,59руб.104,41руб.100,70руб.95,40руб.85,86руб.

Характеристики

STD3NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 2.4 А, 600 В, 3.3 Ом The STD3NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability
• Ideal for off-line power supplies, adaptors and PFC

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

45Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

2.4А