SIA433EDJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

65,00 руб.

Артикул: 1135428 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	65,00руб.	60,45руб.	58,50руб.	57,20руб.	53,30руб.	52,00руб.	50,70руб.	46,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	117,65руб.	107,90руб.	105,95руб.	103,35руб.	96,20руб.	94,25руб.	91,65руб.	82,55руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	152,10руб.	140,40руб.	137,15руб.	133,90руб.	124,80руб.	121,55руб.	118,95руб.	106,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	78,00руб.	71,50руб.	70,20руб.	68,25руб.	63,70руб.	62,40руб.	60,45руб.	54,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	150,15руб.	138,45руб.	135,20руб.	131,95руб.	128,05руб.	123,50руб.	117,00руб.	105,30руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SIA433EDJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.

• New thermally enhanced PowerPAK® package
• Small footprint area
• Low ON-resistance
• 100% Rg tested
• Built in ESD protection with Zener diode
• 1800V ESD performance
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	PowerPAK SC70
Рассеиваемая Мощность	19Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Непрерывный Ток Стока	-12А