39

NJT4030PT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -40 В

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

43,00 руб.

x 43,00 = 43,00
Артикул: 1130038 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней43,00руб.39,99руб.38,70руб.37,84руб.35,26руб.34,40руб.33,54руб.30,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней77,83руб.71,38руб.70,09руб.68,37руб.63,64руб.62,35руб.60,63руб.54,61руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней100,62руб.92,88руб.90,73руб.88,58руб.82,56руб.80,41руб.78,69руб.70,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней51,60руб.47,30руб.46,44руб.45,15руб.42,14руб.41,28руб.39,99руб.36,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней99,33руб.91,59руб.89,44руб.87,29руб.84,71руб.81,70руб.77,40руб.69,66руб.

Характеристики

NJT4030PT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -40 В The NJT4030PT1G is a 3A bipolar PNP Power Transistor ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern. It is the combination of low saturation voltage and high gain.

• Low collector-emitter saturation voltage
• High DC current gain
• High current-gain bandwidth product
• Halogen-free
• Minimized power loss
• Very low current requirements
• Ideal for high frequency designs
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-40В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-3А
DC Усиление Тока hFE

100hFE
Частота Перехода ft

160МГц