26

IXTH24N50, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 500 В, 230 мОм

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

950,00 руб.

x 950,00 = 950,00
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней950,00руб.883,50руб.855,00руб.836,00руб.807,50руб.760,00руб.741,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.786,00руб.1.643,50руб.1.615,00руб.1.577,00руб.1.520,00руб.1.434,50руб.1.396,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.814,50руб.1.672,00руб.1.634,00руб.1.596,00руб.1.520,00руб.1.444,00руб.1.415,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.140,00руб.1.045,00руб.1.026,00руб.997,50руб.969,00руб.912,00руб.883,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.653,00руб.1.520,00руб.1.482,00руб.1.453,50руб.1.406,00руб.1.320,50руб.1.282,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней1.035,50руб.959,50руб.931,00руб.912,00руб.883,50руб.826,50руб.807,50руб.

Характеристики

IXTH24N50, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 500 В, 230 мОм The IXTH24N50 is a MegaMOS™ single N-channel standard Power MOSFET offers fast switching time and high power density. It is suitable for switch-mode and resonant-mode power supplies and DC choppers.

• International standard packages
• Low RDS (ON) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance (

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

300Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

500в

Непрерывный Ток Стока

24А