0bd26992f8d7083d641de6b6ef3e4979

IXGR32N170H1, БТИЗ транзистор, изолированный, 26 А, 3.5 В

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

2.440,00 руб.

x 2.440,00 = 2.440,00
Артикул: 1136209 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней2.440,00руб.2.269,20руб.2.147,20руб.2.074,00руб.2.000,80руб.1.964,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.757,20руб.2.488,80руб.2.440,00руб.2.342,40руб.2.269,20руб.2.220,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.976,80руб.2.684,00руб.2.610,80руб.2.537,60руб.2.391,20руб.2.244,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.903,60руб.2.610,80руб.2.562,00руб.2.464,40руб.2.366,80руб.2.232,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней4.148,00руб.3.733,20руб.3.660,00руб.3.513,60руб.3.391,60руб.3.098,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней4.123,60руб.3.708,80руб.3.630,72руб.3.489,20руб.3.367,20руб.3.074,40руб.

Характеристики

IXGR32N170H1, БТИЗ транзистор, изолированный, 26 А, 3.5 В The IXGR32N170H1 is a High Voltage IGBT with diode. It is suitable for DC choppers, capacitor discharge and pulse circuits.

• Electrically isolated tab
• High current handling capability
• MOS gate turn-ON — drive simplicity
• Rugged NPT structure
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.7кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-247AD
Рассеиваемая Мощность

200Вт
DC Ток Коллектора

26А