aadf2799776fc12e20a78d399fba977c

Транзистор BCP69T1G SOT223

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

24,00 руб.

x 24,00 = 24,00
Артикул: 1124836 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней24,00руб.22,32руб.21,60руб.21,12руб.19,68руб.19,20руб.18,72руб.17,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней43,44руб.39,84руб.39,12руб.38,16руб.35,52руб.34,80руб.33,84руб.30,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней56,16руб.51,84руб.50,64руб.49,44руб.46,08руб.44,88руб.43,92руб.39,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней28,80руб.26,40руб.25,92руб.25,20руб.23,52руб.23,04руб.22,32руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней55,44руб.51,12руб.49,92руб.48,72руб.47,28руб.45,60руб.43,20руб.38,88руб.

Характеристики

BCP69T1G SOT223The BCP69T1G is a PNP bipolar Epitaxial Transistor designed for use in low voltage and high current applications. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. This package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.

• Can be soldered using wave or reflow
• AECQ101 qualified and PPAP capable
• NPN complement is BCP68

Дополнительная информация

Корпус

to261aa
Структура

pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

1.5