Автоматические SiC МОП-транзисторы на 650 В.

ON Semiconductor выпустила устройства SiC MOSFET для требовательных приложений, где плотность мощности, эффективность и надежность являются ключевыми факторами.

Заменив существующие технологии кремниевой коммутации новыми устройствами SiC, разработчики добьются значительно большей производительности в таких приложениях, как бортовые зарядные устройства (OBC) электромобилей (EV), солнечные инверторы, серверные блоки питания (PSU), телекоммуникации и источники бесперебойного питания. расходные материалы (ИБП).

SiC МОП-транзисторы ON Semiconductor для автомобилей AECQ101 и промышленного класса на 650 вольт (В) основаны на новом материале с широкой запрещенной зоной, который обеспечивает превосходные характеристики переключения и улучшенные термические характеристики по сравнению с кремнием. Это приводит к повышению эффективности на уровне системы, повышенной плотности мощности, уменьшению электромагнитных помех (EMI) и уменьшению размера и веса системы.

Новое поколение SiC MOSFET использует новую конструкцию активных ячеек в сочетании с передовой технологией тонких пластин, обеспечивающей лучший в своем классе показатель качества Rsp (область Rdson *) для напряжения пробоя 650 В.

NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC1 имеют самый низкий Rdson (12 мОм) на рынке в корпусах D2PAK7L и To247. Эта технология также оптимизирована с учетом показателей потерь энергии, оптимизируя производительность в автомобильных и промышленных приложениях.

Внутренний резистор затвора (Rg) дает разработчикам большую гибкость, устраняя необходимость искусственно замедлять работу устройств с помощью внешних резисторов затвора. Повышенная устойчивость к скачкам и лавинам, а также устойчивость к коротким замыканиям способствуют повышению прочности, что обеспечивает более высокую надежность и более длительный срок службы устройства.

Все новые устройства предназначены для поверхностного монтажа и доступны в стандартных типах корпусов, включая TO247 и D2PAK.