9

STS6NF20V, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 20 В, 45 мОм

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

46,00 руб.

x 46,00 = 46,00
Артикул: 1135664 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней46,00руб.42,78руб.41,40руб.40,48руб.37,72руб.36,80руб.35,88руб.33,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней83,26руб.76,36руб.74,98руб.73,14руб.68,08руб.66,70руб.64,86руб.58,42руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней107,64руб.99,36руб.97,06руб.94,76руб.88,32руб.86,02руб.84,18руб.75,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней55,20руб.50,60руб.49,68руб.48,30руб.45,08руб.44,16руб.42,78руб.38,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней106,26руб.97,98руб.95,68руб.93,38руб.90,62руб.87,40руб.82,80руб.74,52руб.

Характеристики

STS6NF20V, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 20 В, 45 мОм The STS6NF20V is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.

• Ultra low threshold gate drive
• Standard outline for easy automated surface-mount assembly

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

6А