2e3d8fbc1877be291a32a179ef50763f

IXFN180N10, МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 180 А, 100 В

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

2.570,00 руб.

x 2.570,00 = 2.570,00
Артикул: 1134631 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней2.570,00руб.2.390,10руб.2.261,60руб.2.184,50руб.2.107,40руб.2.068,85руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.904,10руб.2.621,40руб.2.570,00руб.2.467,20руб.2.390,10руб.2.338,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней3.135,40руб.2.827,00руб.2.749,90руб.2.672,80руб.2.518,60руб.2.364,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней3.058,30руб.2.749,90руб.2.698,50руб.2.595,70руб.2.492,90руб.2.351,55руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней4.369,00руб.3.932,10руб.3.855,00руб.3.700,80руб.3.572,30руб.3.263,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней4.343,30руб.3.906,40руб.3.824,16руб.3.675,10руб.3.546,60руб.3.238,20руб.

Характеристики

IXFN180N10, МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 180 А, 100 В The IXFN180N10 is a 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

• miniBLOC with aluminium nitride isolation
• Low drain-to-tab capacitance
• Low inductance
• Avalanche rated
• Easy to mount
• Space-saving s

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

isotop
Рассеиваемая Мощность

600Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

180А