Заполнитель

IXFH120N20P, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 200 В, 22 мОм

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

770,00 руб.

x 770,00 = 770,00
Артикул: 1134611 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней770,00руб.716,10руб.693,00руб.677,60руб.654,50руб.616,00руб.600,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.447,60руб.1.332,10руб.1.309,00руб.1.278,20руб.1.232,00руб.1.162,70руб.1.131,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.470,70руб.1.355,20руб.1.324,40руб.1.293,60руб.1.232,00руб.1.170,40руб.1.147,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней924,00руб.847,00руб.831,60руб.808,50руб.785,40руб.739,20руб.716,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.339,80руб.1.232,00руб.1.201,20руб.1.178,10руб.1.139,60руб.1.070,30руб.1.039,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней839,30руб.777,70руб.754,60руб.739,20руб.716,10руб.669,90руб.654,50руб.

Характеристики

IXFH120N20P, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 200 В, 22 мОм The IXFH120N20P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and low drain-to-tab capacitance. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers and high speed power switching applications.

• International standard packages
• Avalanche rating
• Low Qg
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space saving

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

714Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

120А