Заполнитель

FQD8P10TM, МОП-транзистор, P Канал, -6.6 А, -100 В, 0.41 Ом

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

77,00 руб.

x 77,00 = 77,00
Артикул: 1134006 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней77,00руб.71,61руб.69,30руб.67,76руб.63,14руб.61,60руб.60,06руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней139,37руб.127,82руб.125,51руб.122,43руб.113,96руб.111,65руб.108,57руб.97,79руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней180,18руб.166,32руб.162,47руб.158,62руб.147,84руб.143,99руб.140,91руб.126,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней92,40руб.84,70руб.83,16руб.80,85руб.75,46руб.73,92руб.71,61руб.64,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней177,87руб.164,01руб.160,16руб.156,31руб.151,69руб.146,30руб.138,60руб.124,74руб.

Характеристики

FQD8P10TM, МОП-транзистор, P Канал, -6.6 А, -100 В, 0.41 Ом The FQD8P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 12nC Typical low gate charge
• 30pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

44Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-100В
Непрерывный Ток Стока

-6.6А