Заполнитель

NJT4031NT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, NPN, 40 В

Поставка электронных компонентов в Чебоксары

38,00 руб.

x 38,00 = 38,00
Сроки поставки выбранного компонента в Чебоксары уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней38,00руб.35,34руб.34,20руб.33,44руб.31,16руб.30,40руб.29,64руб.27,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней68,78руб.63,08руб.61,94руб.60,42руб.56,24руб.55,10руб.53,58руб.48,26руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней88,92руб.82,08руб.80,18руб.78,28руб.72,96руб.71,06руб.69,54руб.62,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней45,60руб.41,80руб.41,04руб.39,90руб.37,24руб.36,48руб.35,34руб.31,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней87,78руб.80,94руб.79,04руб.77,14руб.74,86руб.72,20руб.68,40руб.61,56руб.

Характеристики

NJT4031NT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, NPN, 40 В The NJT4031NT1G is a 3A NPN bipolar Power Transistor ideal for high speed switching applications where power saving is a concern. It is the combination of low saturation voltage and high gain.

• Low collector-emitter saturation voltage
• High DC current gain
• High current-gain bandwidth product
• Halogen-free
• Minimized power loss
• Very low current requirements
• Ideal for high frequency designs
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

40В

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

2Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

100hFE

Частота Перехода ft

215МГц