Личный кабинет
Дополнительная информация
| Производитель | ONSemiconductor |
|---|---|
| Тип тиристора | ONSemiconductor |
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | — |
| Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии, А | — |
| Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора, мА | — |
| Удерживающий ток, необходимый для поддержания открытого состояния тиристора, мА | — |
| Макс. импульсный ток в открытом состоянии.,А | — |
| Напряжение включения (открывания) при 25оС, В | — |
| Макс. напряжение в открытом состоянии (падение напряжения), В | — |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | — |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | — |
| Время включения tвкл.,мкс | — |
| Время выключения tвыкл.,мкс | — |
| Особенности | — |
| Корпус | — |
| Рабочая температура,С | — |
Загрузка